点击次数：
论文类型：会议论文
发表时间：2012-11-07
页面范围：351-355
关键字：发光二极管;弯曲度;氮化镓半导体;残余应力;芯片性能
摘要：　　利用低压MOCVD系统在三片具有不同弯曲度(bow)值的蓝宝石衬底上生长了GaN基LED结构并制作芯片，测量了具有不同村底bow值的芯片的主要光学和电学参数，并分析了不同衬底弯曲度(bow)值对LED芯片的各个光学和电学参数的影响。公式计算的结果表明：不同的衬底弯曲度(bow)值对于LED芯片的性能具有明显影响：随着薄膜生长前衬底弯曲度(bow)值从-2.02μm到-6.77μm再到-9.21μm的逐渐增加，生长完成后外延层中的残余应力依次明显减小，芯片的电学和光学性能逐渐变好，主波长发生逐渐蓝移。