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梁红伟 ( 教授 ) 赞
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教授博士生导师硕士生导师
主要任职：集成电路学院院长

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Sb掺杂对MOCVD生长的ZnO薄膜性质的影响

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论文类型：会议论文
发表时间：2010-10-25
页面范围：321-322
关键字：ZnO薄膜;MOCVD方法;掺杂改性
摘要：利用MOCVD技术制备了Sb掺杂ZnO薄膜,在小掺杂量时研究了Sb的掺杂量对ZnO薄膜的结晶质量的影响,发现小掺杂量时随着Sb含量的增加ZnO薄膜的晶粒尺寸有所增加,结晶质量有所提高.

上一条： Catalyst-free growth of well-aligned arsenic-doped ZnO nanowires by chemical vapor deposition method