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论文类型：期刊论文

发表时间：2013-08-15

发表刊物：发光学报

收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD、EI、Scopus

文献类型：J

卷号：34

期号：8

页面范围：1017-1021

ISSN号：1000-7032

关键字：SiN 应力弛豫 插入层 SiN strain relief insertion layer

摘要：研究了MOCVD系统中原位SiN插入层对GaN薄膜应力和光学性质的影响.采用SiN插入层后,GaN薄膜的裂纹数量大大减少,薄膜所承受的张应力得到了一定的释放.同时,GaN薄膜的缺陷密度降低一倍,晶体质量得到了极大的改善.研究表明,位错密度的降低在GaN薄膜中留存较大的残余应力,补偿了降温过程中所引入的张应力.同样,随着SiN插入层的应用,低温PL谱的半峰宽降低,薄膜光学质量提高.最后研究了PL谱发光峰与应力的关系,得到了一个-13.8的线性系数.