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论文类型：期刊论文
发表时间：2015-12-28
发表刊物：光电子技术
收录刊物：ISTIC
卷号：35
期号：4
页面范围：253-257,262
ISSN号：1005-488X
关键字：氮化镓;紫光发光二极管;电子阻挡层;发光效率
摘要：通过设计包括不同Al含量的单层p-AlGaN电子阻挡层与10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的三种紫光LED结构,利用APSYS软件理论模拟研究了400 nm紫光LED的光电性能,并着重研究了电子阻挡层结构对紫光LED的光电性能的影响.APSYS软件的模拟结果显示,10对p-AlGaN/GaN超品格电子阻挡层对光输出功率(LOP)的提升优于单层p型AlGaN电子阻挡层.为验证理论模拟结果,使用MOCVD系统制备了三种紫光LED外延片,并将外延片加工成紫光芯片,分析了不同电子阻挡层对紫光LED光电性能的影响.实验的光电测试结果显示,带有10对p-AlGaN/GaN超品格电子阻挡层的400 nm紫光LED发光效率高于另外两种紫光LED,在输入20 mA电流条件下,其光输出功率为21 mW,具有商用价值.