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专利名称：一种基于SiC衬底的垂直结构GaN基紫外LED及其制备方法
第一作者：梁红伟
发明设计人：夏晓川,申人升,杜国同,柳阳
申请号：CN201410006227.7
授权日期：2014-01-07
授权号：CN103730549A
发布时间：2019-03-09