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在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜
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专利名称：在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜
第一作者：夏晓川
发明设计人：胡礼中,梁红伟,申人升,柳阳
授权号：ZL.201310401102.X
发布时间：2019-03-09
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