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  • 梁红伟 ( 教授 ) 赞

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具有纵向栅极结构的常关型HEMT 器件
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专利名称：具有纵向栅极结构的常关型HEMT 器件
第一作者：黄火林
发明设计人：胡礼中,边继明,杜国同,夏晓川,梁红伟,孙仲豪
授权日期：2016-02-26
授权号：CN205508826U
发布时间：2019-10-09
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