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  • 梁红伟 ( 教授 ) 赞

    的个人主页 http://faculty.dlut.edu.cn/kid/zh_CN/index.htm

  •   教授   博士生导师   硕士生导师
  • 主要任职：集成电路学院院长
专利 当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 专利
具有纵向栅极结构的常关型HEMT器件及其制备方法

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第一作者：黄火林
发明设计人：孙仲豪,梁红伟,夏晓川,杜国同,边继明,胡礼中
申请号：CN201610109041.3
授权日期：2016-02-26
授权号：CN105576020A

 

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