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  • 梁红伟 ( 教授 ) 赞

    的个人主页 http://faculty.dlut.edu.cn/kid/zh_CN/index.htm

  •   教授   博士生导师   硕士生导师
  • 主要任职：集成电路学院院长
专利 当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 专利
一种纵向短开启栅极沟道型HEMT器件及其制备方法

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第一作者：黄火林
发明设计人：梁红伟,夏晓川,杜国同
申请号：CN201510319284.5
授权日期：2015-06-11
授权号：CN104916684A

 

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