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论文类型：期刊论文

发表时间：2012-01-01

发表刊物：功能材料

收录刊物：Scopus、EI、PKU、ISTIC、CSCD

卷号：43

期号：3

页面范围：353-356

ISSN号：1001-9731

关键字：多孔硅; 单晶硅; 化学腐蚀; 少子寿命

摘要：以p型单晶硅片为研究对象,在单晶硅片表面采用化学腐蚀方法制备多孔硅层,通过实验选取制备多孔硅的最佳工艺条件,采用SEM观察多孔硅表面形貌,以及用
   微波光电导法测试少子寿命的变化情况。结果表明,在相同的腐蚀溶液配比条件下腐蚀11min得到的多孔硅层的表面形貌最好,孔隙率最大。在850℃下热处
   理150min时样品少子寿命的提高达到最大,不同腐蚀时间的样品少子寿命提高程度不同,腐蚀11min的样品少子寿命提高最大,约有10%左右。多孔层
   的形成伴随着弹性机械应力的出现,引起多孔层-硅基底界面处产生弹性变形,这有利于缺陷和金属杂质在界面处富集。另外,多孔硅仍具有晶体结构,但其表面方
   向上的晶格参数要比初始硅的晶格参数大,也有利于金属杂质向多孔层迁移。