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论文类型：期刊论文

发表时间：2009-02-15

发表刊物：液晶与显示

收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD

卷号：24

期号：1

页面范围：66-70

ISSN号：1007-2780

关键字：酞菁铜;半导体厚度;载流子迁移率

摘要：用十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰了不同厚度的酞菁铜(CuPc)有机薄膜晶体管器件, 对比酞菁铜厚度为15、40、80 nm的3种器件性能后,得到40 nm的酞菁铜器件具有最高载流子迁移率.分析了OTS修饰的绝缘层表面对器件性能的影响,得到的40 nm厚度酞菁铜器件载流子迁移率为4.3×10-3cm2/V*s, 阈值电压为-9.5 V.