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Indexed by:会议论文
Date of Publication:2006-05-21
Page Number:194-197
Key Words:真空触发开关;触发能量;导通时延;时延精度
Abstract:本文对场击穿型真空触发开关进行特性实验研究,获得触发电压对主间隙最小导通电压的影响规律;主间隙电压对触发成功率的影响规律;主间隙电压、触发能量对触发时延及其分散性的影响规律.研究表明:主间隙最小导通电压随触发极触发电压的增加而减少;主间隙电压增加时,将明显使得触发时延降低;主间隙电压或触发能量增加时,将明显使得触发时延及其分散性降低;主间隙的电压越大,触发成功率越高.对本研究设计真空触发开关,触发能量为1.6J时,导通时延可缩小为2.3μs,时延分散性可达1.2μs.
