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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2007-06-25

Journal:化工进展

Included Journals:PKU、ISTIC、CSCD

Volume:26

Issue:6

Page Number:814-818

ISSN No.:1000-6613

Key Words:二氧化钒;相变;薄膜制备

Abstract:VO2在68 ℃附近发生从高温金属相到低温半导体相的突变,且相变可逆.由于相变前后其电、磁、光性能有较大的变化,使得它在光电开关材料、存储介质、气敏传感器和智能玻璃等方面有着广泛的应用.然而由于VO2稳定存在的组分范围狭窄,使得制备高纯度VO2薄膜较为困难.为此人们做了很多工作来研究VO2薄膜的制备.本文综述了2000年以来VO2薄膜制备方法的研究情况,比较了各种制备方法对薄膜性能的影响,介绍了VO2薄膜研究的最新研究进展,并为扩大其应用领域而探讨了今后的研究方向.