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论文类型：期刊论文

发表时间：2014-07-08

发表刊物：物理学报

收录刊物：Scopus、SCIE、EI、PKU、ISTIC、CSCD

卷号：63

期号：13

页面范围：393-397

ISSN号：1000-3290

关键字：GaN;表面态调控;荧光光谱

摘要：采用高阻本征GaN薄膜,通过H3PO4刻蚀和SiOxNy薄膜钝化方法对GaN薄膜进行表面态调控,研究了表面态调控对GaN薄膜光致荧光光谱的影响.研究发现,H3PO4刻蚀对改善GaN薄膜的紫外荧光发射作用不大,但显著增加可见荧光的强度;经SiOxNy薄膜表面钝化的GaN紫外荧光量子效率增加12—13倍,同时对可见荧光有明显增加.通过比较H3PO4刻蚀和SiOxNy薄膜钝化的室温和低温荧光光谱,探讨了表面态调控对GaN紫外荧光、蓝带荧光和黄带荧光的影响及相关物理机理.