Title of Paper:基于TDTR方法的碳化硅低温导热性能实验研究

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Date of Publication:2017-01-01

Journal:工程热物理学报

Included Journals:Scopus、EI、CSCD

Volume:38

Issue:7

Page Number:1415-1421

ISSN No.:0253-231X

Key Words:时域热反射法; 低温系统; 热导率; 碳化硅晶体

Abstract:低温条件下碳化硅等半导体材料热导率的实验研究极少,数据匮乏,无法满足理论模型的优化需求。现有实验测量以接触式的稳态法导热系数测量为主,实验误差大
   ,且低温测量成本过高。本文通过常规飞秒激光抽运探测热反射法与低温系统的有机结合,完成了4~300
   K低温条件下单晶碳化硅热导率的测试及其随温度的变化规律,研究表明单晶碳化硅热导率在100 K左右存在极大值,温度低于100
   K时其热导率与温度呈正相关,温度高于100 K时其热导率与温度呈负相关。极值点的位置与理论值的偏差可能是由于样品电子浓度、缺陷分布等因素影响。