王德真
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论文成果
常温下采用射频等离子体法合成碳化硅膜
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- 论文类型：期刊论文
- 发表时间：2005-03-25
- 发表刊物：真空
- 收录刊物：PKU、ISTIC
- 文献类型：J
- 卷号：42
- 期号：2
- 页面范围：27-30
- ISSN号：1002-0322
- 关键字：碳化硅膜;射频等离子体;气相沉积
- 摘要：采用射频等离子体增强的气相沉积法,以硅烷和乙烯为原料,在常温下成功的合成了碳化硅薄膜.对于该条件下合成的碳化硅薄膜的结构特征,采用SEM、TEM、XRD、IR等手段进行了分析;分析结果表明我们的样品是以碳硅键为主的薄膜.
