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论文类型：期刊论文

发表时间：2008-12-15

发表刊物：微纳电子技术

收录刊物：PKU、ISTIC

卷号：45

期号：12

页面范围：724-728

ISSN号：1671-4776

关键字：硅尖;各向异性;氧化削尖;晶面;掩模

摘要：采用KOH溶液各向异性腐蚀单晶硅的方法制备高纵横比的纳米硅尖,研究了腐蚀溶液的浓度、添加剂异丙醇(IPA)对硅尖形状的影响.设计了硅尖制作的工艺流程,制备了形状不同、纵横比值为0.52～2.1的硅尖,并结合晶面相交模型,提出了硅尖晶面的判别方法,讨论了实验中出现的{411}和{331}晶面族两种硅尖晶面类型,实验结果和理论分析相一致.通过分析腐蚀溶液的质量分数和添加剂对{411}、{331}晶面族腐蚀速度的影响,得到了制备高纵横比纳米硅尖的工艺参数.实验结果表明:当正方形掩模边缘沿<110>晶向时,在78℃、质量分数40%的KOH溶液中腐蚀硅尖,再经980℃干氧氧化3 h进行锐化削尖,可制备出纵横比大于2、曲率半径达纳米量级的硅尖阵列.