牟宗信

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副教授

硕士生导师

性别:男

毕业院校:大连理工大学

学位:博士

所在单位:物理学院

电子邮箱:muz@dlut.edu.cn

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论文成果

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中频磁控溅射制备锰铜传感器用合金薄膜的工艺

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论文类型:期刊论文

发表时间:2014-05-15

发表刊物:稀有金属

收录刊物:EI、PKU、ISTIC、CSCD

卷号:38

期号:3

页面范围:427-431

ISSN号:0258-7076

关键字:锰铜合金;溅射功率;形貌;磁控溅射

摘要:利用镀膜技术制作锰铜传感器,可以实现传感器的超薄化,提高传感器的灵敏度和线性度.改变溅射功率参数,采用中频磁控溅射技术在玻璃(SiO2)衬底上制备出一系列锰铜镍合金薄膜,重点研究沉积条件对薄膜式锰铜传感器薄膜结构、表面形貌等性能的影响.采用三维形貌仪测试薄膜厚度和计算沉积速率;采用原子力显微镜(AFM)研究薄膜的表面特征;采用X射线衍射(XRD)分析了热处理前后薄膜的微观结构;并采用直读光谱仪(DRS)测试溅射靶材和薄膜的成分.研究结果表明:沉积速率随溅射功率增加而增加,溅射功率达到1 kW后沉积速率保持在100 nm·min-;溅射功率也会明显的影响薄膜的表面形貌,薄膜的表面粗糙度RMS随溅射功率的增加而减小;XRD分析结果表明溅射功率对薄膜的微观结构影响不大,样品的微观结构在热处理前后没有显著变化,只是热处理后样品观察到了微弱的Mn微观结构取向;溅射功率变化对薄膜的成分影响较小,不同功率沉积的薄膜样品的成分相近.