点击次数：

论文类型：期刊论文

发表时间：2012-01-15

发表刊物：真空科学与技术学报

收录刊物：EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

卷号：32

期号：1

页面范围：6-10

ISSN号：1672-7126

关键字：氮化硅薄膜;镁合金;磁控溅射;红外光谱;抗腐蚀性

摘要：采用中频孪生靶非平衡磁控溅射技术在AZ31镁合金基底上制备出氮化硅薄膜.利用傅里叶变换红外光谱仪、电子探针、X射线衍射仪等研究了氮气流量比率对氮化硅薄膜的成分、微观结构的影响.通过对薄膜力学性能和抗腐蚀性能的检测分析了氮化硅薄膜对AZ31镁合金基底表面改性的作用.结果表明:中频孪生非平衡磁控溅射技术制备的薄膜为非晶态富N氮化硅.随着氮气流量比率的增加,薄膜的沉积速率降低,Si含量减少.在AZ31镁合金基底上制备氮化硅薄膜有效提高了基底的力学性能和抗腐蚀性能,显微硬度得到显著提高,腐蚀电流密度降低了3个数量级,并且薄膜与基底之间的结合力良好.