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骆英民

个人信息Personal Information

工程师

硕士生导师

性别:男

毕业院校:大连理工大学

学位:博士

所在单位:集成电路学院

学科:微电子学与固体电子学

办公地点:开发区校区教学楼C区505

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专利

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一种石墨衬底上的氧化锌基MOS器件

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第一作者:边继明

发明设计人:骆英民,刘维峰,秦福文,张志坤

申请号:CN201310018911.2

授权日期:2013-01-18

授权号:CN103107205A