骆英民

个人信息Personal Information

工程师

硕士生导师

性别:男

毕业院校:大连理工大学

学位:博士

所在单位:集成电路学院

学科:微电子学与固体电子学

办公地点:开发区校区教学楼C区505

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专利

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一种生长ZnO单晶、微晶薄膜及其p型掺杂的方法

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第一作者:张贺秋

发明设计人:杜国同,骆英民,胡礼中,付强

申请号:CN200710159316.5

授权日期:2007-12-25

授权号:CN101275271