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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：吉林大学
学位：博士
所在单位：物理学院
电子邮箱：baiyz@dlut.edu.cn
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自持金刚石厚膜上沉积N掺杂ZnO薄膜的生长及电学特性
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论文类型：期刊论文
发表时间：2007-09-26
发表刊物：吉林大学学报（理学版）
收录刊物：ISTIC、CSCD
卷号：45
期号：5
页面范围：822-826
ISSN号：1671-5489
关键字：声表面波滤波器;金刚石;ZnO薄膜;金属有机化合物气相沉积
摘要：采用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)两步生长法在自持化学气相沉积(CVD)金刚石厚膜的成核面上制备ZnO薄膜, 并研究了薄膜的生长特性和电学特性. 结果表明, 在基片温度为600 ℃时沉积得到的ZnO薄膜表面均匀, 取向较一致, 为c轴取向生长. 其载流子迁移率为3.79 cm2/(V·s).