丁振峰
个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别:男
毕业院校:中科院等离子体物理研究所
学位:博士
所在单位:物理学院
学科:等离子体物理
办公地点:新三束实验室3号楼
联系方式:zfding@dlut.edu.cn
电子邮箱:zfding@dlut.edu.cn
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ICPECVD类金刚石膜沉积过程的发射光谱诊断研究
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论文类型:期刊论文
发表时间:2006-02-10
发表刊物:核技术
收录刊物:PKU、ISTIC、CSCD
卷号:29
期号:2
页面范围:153-156
ISSN号:0253-3219
关键字:感应耦合等离子体增强化学气相沉积;类金刚石膜;发射光谱;基团
摘要:利用发射光谱(Optical emission spectroscopy,OES)对感应耦合等离子体增强化学气相沉积(Inductivelycoupled plasma enhance chemical vapor d印osition,ICPECVD)类金刚石(Diamondlike carbon,DLC)膜过程中的各种基团进行分析,并对不同条件下薄膜沉积速率以及薄膜显微硬度进行测试.分析结果发现,感应耦合等离子体源激发甲烷等离子体中存在比较突出的碳氢离子成分,从而促进形成高硬度的DLC膜.而且射频功率、沉积气压等沉积参数的变化对DLC薄膜沉积过程的中性基团、离子基团以及原子氢等成分都有着明显影响,从而最终影响薄膜沉积过程及薄膜性质.