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Indexed by:会议论文

Date of Publication:2008-10-23

Page Number:426-428

Key Words:纳米材料;硅纳米线;二氧化钛;光催化剂;制备工艺

Abstract:本文采用水热刻蚀法在硅片上制备了硅纳米线(SiNW)阵列,然后用化学气相沉积法在SiNW上包覆TiO2，并且在Si片上直接沉积了TiO2作为对比，用扫描电镜观察了SiNW和SiNW-TiO2的形貌。X射线衍射(XRD)表明,TiO2为锐钛矿相,沿(101)和(200)晶面优势生长，在0.01mol/LNa2SO4溶液中测量了SiNW-TiO2和Si-TiO2的光电流,在紫外光照射下,SiNW-TiO2的光电流是Si-TiO2的2倍以上。以苯酚为目标物测试SiNW-TiO2复合催化剂的光催化性能,在光强2.0mW,偏压1.0V条件下,25ml初始浓度为5mg/L的苯酚被1cm2的SiNW-TiO2在120min 内完全降解，同样条件下,使用Si-TiO2时苯酚的降解率是81.4％。