张庆瑜

个人信息Personal Information

教授

博士生导师

硕士生导师

性别:男

毕业院校:复旦大学

学位:博士

所在单位:物理学院

学科:凝聚态物理

办公地点:大连理工大学三束材料改性重点实验室1号楼203房间

联系方式:qyzhang@dlut.edu.cn 0411-84707930 转 13

电子邮箱:qyzhang@dlut.edu.cn

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论文成果

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蓝宝石基片的处理方法对ZnO薄膜生长行为的影响

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论文类型:期刊论文

发表时间:2008-02-01

发表刊物:物理学报

收录刊物:SCIE、PKU、ISTIC、CSCD

卷号:57

期号:2

页面范围:1133-1140

ISSN号:1000-3290

关键字:ZnO薄膜;反应磁控溅射;基片处理;形貌分析

摘要:采用反应射频磁控溅射方法,在经过不同方法处理的蓝宝石基片上,在同一条件下沉积了ZnO薄膜.利用原子力显微镜、X射线衍射、反射式高能电子衍射等分析技术,对基片和薄膜的结构、表面形貌进行了系统表征.研究结果显示,不同退火条件下的蓝宝石基片表面结构之间没有本质的差异,均为α-Al2O3 (001)晶面,但基片表面形貌的变化较大.在不同方法处理的蓝宝石基片上生长的ZnO薄膜均具有高c轴取向的织构特征,但薄膜的表面形貌差异较大.基片经真空退火处理后, ZnO薄膜的生长形貌与基片未处理时十分类似,具有+c取向和-c取向两种外延岛特征;基片经氮气环境退火后,ZnO薄膜的生长形貌具有单一的-c取向外延岛特征,晶粒尺寸较大,但薄膜表面粗糙度没有明显改善;基片经氧气环境退火后,ZnO薄膜的生长形貌仍为-c取向外延岛特征,薄膜表面粗糙度显著降低.对于未处理、真空退火、氮气退火和氧气退火等方法处理的蓝宝石基片ZnO薄膜表面形貌的自仿射关联长度分别为619,840,882和500 nm.