张庆瑜

个人信息Personal Information

教授

博士生导师

硕士生导师

性别:男

毕业院校:复旦大学

学位:博士

所在单位:物理学院

学科:凝聚态物理

办公地点:大连理工大学三束材料改性重点实验室1号楼203房间

联系方式:qyzhang@dlut.edu.cn 0411-84707930 转 13

电子邮箱:qyzhang@dlut.edu.cn

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论文成果

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蓝宝石衬底上Gd2O3掺杂CeO2氧离子导体电解质薄膜的生长及电学性能

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论文类型:期刊论文

发表时间:2008-03-01

发表刊物:物理学报

收录刊物:SCIE、PKU、ISTIC、CSCD

卷号:57

期号:3

页面范围:1851-1856

ISSN号:1000-3290

关键字:Gd2O3掺杂CeO2电解质薄膜;反应磁控溅射;生长特性;电学性能

摘要:采用反应磁控溅射方法,在(0001)蓝宝石单晶衬底上,制备了纳米多晶Gd2O3掺杂CeO2(GDC)氧离子导体电解质薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)对薄膜物相、结构、粗糙度、表面形貌等生长特性进行了表征,利用交流阻抗谱仪测试了GDC薄膜不同温度下的电学性能;实验结果表明,GDC薄膜为面心立方结构,在所研究的衬底温度范围内,均呈强(111)织构生长;薄膜表面形貌随衬底温度发生阶段性变化:衬底温度由室温升高到300℃时,对应球形生长岛到棱形生长岛的转变,当完全为棱形岛生长时(300℃),生长岛尺寸显著增大;从400℃开始,则发生棱形生长岛到密集球形生长岛的转变,球形生长岛尺寸明显减小.生长形貌的转变反映着薄膜生长初期不同的成核机理,很可能与蓝宝石(13001)面的表面结构随温度变化有关;GDC多晶电解质薄膜的复平面交流阻抗谱主要源于晶界的贡献,根据Arrhenius图求得电导活化能Ea在1.2-1.5 ev范围内,接近于晶界电导的活化能值,并且随衬底温度升高Ea减小(Ea300 > Ea400> Ea600 );电导活化能以及晶粒尺寸不同,导致GDC薄膜电导率随测试温度的变化规律不同.