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Profile
博士生导师；2005年入选教育部新世纪优秀人才计划（NCET-05-0111），2006年入选北京市科技新星计划（2006A46）。有1项成果（排名第二）入选2006年度“中国高等学校十大科技进展”并获“北京市科技奖二等奖”（2006电-2-006-02）。致力于半导体光电子器件以及光电子集成方面的研究。在器件方面，主要从事半导体光电子器件（如高性能光电探测器）、光学微流控生物传感器、集成纳米线传感器、光纤传感器的研究。在材料方面，主要从事GaN材料系纳米线的生长研究。曾建立基于金属导光毛细管的光度计和荧光仪；小型、低成本、高灵敏度的光纤传感器；氮化镓电化学传感器；谐振腔光电探测器；集成纳米线传感器等器件；材料方面的原创成果有：倾角可控的半导体楔型结构；Si/GaAs/InP异质外延生长与低温晶片键合；首次实现无旁路漏电流的GaN纳米线桥接生长；首次发现氮化镓材料的催化活性。已在Nano Lett., Sensors and Actuators B, Appl. Phys. Lett.等国际知名刊物上，以第一作者或通信作者发表SCI检索论文五十余篇，获授权发明专利二十多项。
长期招收硕士生、博士生以及博士后，欢迎光学、光电子技术、半导体、纳米材料与器件方向的学生报考。
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新型光纤传感器：发明的新型强度检测技术，克服了强度检测的敏度低痼疾，使其灵敏度可媲美相位检测；而且，与相位检测比，具有响应频带宽、抗加速度干扰、系统小巧便宜（体积缩小近千倍）的优势。
毛细管荧光仪：发明的“针孔金属毛细管LIF”，可抑制激光泄露导致的背景噪声，因此能够采用便宜微型的“半导体激光器”取代昂贵笨重的“氩离子激光器”。与主流产品（ZetaLIF）相比，成本和体积降低十倍以上，功耗降低一百倍，检测限改善2.5倍。
GaN电化学传感器：通过引入氮空位，首次让GaN具有“优异的化学催化活性”与“超高的电导率”；催化效果超过传统的Bi等贵金属，其电导率比现有n型GaN产品高出近一个数量级。所研制的GaN电化学传感器，检测限达50nM（比现有技术改善了几十倍），寿命可达2年以上（与现有产品相当）。