黄辉

基本信息Personal Information

教授 博士生导师 硕士生导师

学术荣誉 : 教育部“新世纪优秀人才支持计划” 入选者

性别 : 男

出生年月 : 1974-11-22

毕业院校 : 北京邮电大学

学位 : 博士

在职信息 : 在职

所在单位 : 电子信息与电气工程学部

学科 : 微电子学与固体电子学 光学工程

Email :

扫描关注

个人简介Personal Profile

黄辉,男,博士,教授,博士生导师,1974年生于福州,现为大连理工大学电子科学与技术学院的教师,致力于半导体光电子器件以及光电子集成方面的研究。在器件方面,主要从事半导体光电子器件(如高性能光电探测器)、光学微流控生物传感器、集成纳米线传感器、光纤传感器的研究。在材料方面,主要从事GaN材料系纳米线的生长研究。
器件方面的原创成果有:基于Fabry-Perot谐振腔的高灵敏度生物传感器;基于金属毛细管的高灵敏度生化传感器;薄膜光纤压力传感器;单纳米线晶体管;液晶调谐的谐振腔增强型(RCE)光电探测器;基于微空气隙的长波长、高速RCE光电探测器;及高速、窄线宽、可调谐的“一镜斜置三镜腔”光电探测器。
材料工艺方面的原创成果有:在半导体外延层上制备倾角可控、表面平坦的楔型结构;基于特殊表面化学处理的GaAs/InP、InP/Si和Si/Si低温晶片键合; GaAs/InP和Si/GaAs间的异质外延生长;以及在Si衬底上生长III-V族半导体单晶纳米线。
主要学习与工作经历
1991.9至1995.9,福州大学 电子科学与应用物理系,本科学习;
1995.9至1998.9,福州大学 物理化学专业,硕士研究生;
1998.9至2001.12,北京邮电大学 电磁场与微波技术专业,博士研究生;
2002.3至2008.12,北京邮电大学 原电信工程学院,历任讲师、副教授;
2008.12至2011.3,北京邮电大学 信息光子学与光通信研究院,教授;
2011.3 至今,大连理工大学 电子科学与技术学院,教授。
获奖情况
2005年获教育部“新世纪人才支持计划”资助;
2006年获北京市“科技新星计划” 的资助;
2006年度中国高等学校十大科技进展(本人第二完成人);
2006北京市科技奖二等奖(本人第二完成人)“高速窄线宽可调谐的解复用光接收集成器件及其关键制备工艺”(2006电-2-006-02)。

  • 教育经历Education Background
  • 工作经历Work Experience
  • 研究方向Research Focus
  • 社会兼职Social Affiliations
  • 1.金属毛细管生化传感器:光度计是检测液体中微量物质的常用仪器之一。受限于微弱吸光度检测,现有光度计对微量物质的检测能力亟需改善。我们发明了金属毛细管光度计,利用金属毛细管中的非线性光程增强效应,对微量物质的检测能力提高三千多倍。已经完成重金属、葡萄糖、油水和凝血酶的检测,检测指标处于国际领先水平。Scientific Reports,5,10476 (2015);Optics Express,24, 14538(2016); Sensors and Actuators B:243(2017)1255
  • 2.Fabry-Perot光学微流控生化传感器:“光流控”传感器将在生化分析领域引发技术革命(Nature Photon.5(2011)591-597)。发明了:基于SOI衬底的传感器制备技术;集成光学差分检测系统。检测精度达10-9 RIU,比现有SPR设备高出1~2个数量级。Optics Express, 22, 31977 (2014);Appl. Phys. Lett., 102, 163701 (2013);Appl. Phys. Lett., 100, 233705 (2012)
  • 3.光纤传感器:创新采用应变膜偏心反射结构,研制出高灵敏度、低成本的光纤压力传感器、加速度传感器、以及应变传感器。其中应变传感器,创新采用温度大范围精密可调的应变传递杆,实现了传感器的温度系数可调,可以消除各种待测物的热膨胀影响,从而精确测定受力导致的应变。Scientific Reports,7,42430(2017); Applied Optics,52,4223,2013; DOI: 10.1364/ACPC.2015.AS4I.2
  • 4.纳米线集成传感器: 结合“微槽结构”与“介电泳排列技术”,实现单根纳米线的大规模排列,制备出单根“InAs/InP”纳米线晶体管,室温迁移率达到22300 cm2/vs,是目前最高的InAs纳米线室温迁移率。Nanotechnology, 24(2013) 245306;Phys. Status Solidi A, Vol.212, No.3, 617–622 (2015).
  • 5.半导体纳米线生长:(1)首次在硅衬底上生长出无缺陷GaAs单晶纳米线,消除晶格失配对纳米线生长限制;(2)发现一成核模式,调节吸附原子扩散,可调控纳米线晶体结构;(3)在纳米线侧壁生长“量子点”“纳米环”“纳米岛”,实现三者间可控生长;(4)优化催化剂组分和源材料,生长高质量GaN纳米线。Nano Lett.10(2010)64;JAP113(2013)114301;Nanotech.21(2010)475602;PSSA210(2013)2689;Phys. E,57 (2014) 145;
  • 6.高性能光电探测器:1).首次在硅衬底上生长和制备具有滤波腔的红外光电探测器;2).在GaAs衬底上生长和制备InP系长波长、可调谐的光电探测器;3).硅晶片和InP晶片的低温键合;4).制备了基于楔形腔的长波长、可调谐、高速、高灵敏度的光电探测器;5).在InP基外延层上制备出倾角可控、表面平坦的楔形结构;6).发明可控自推移动态掩膜湿法刻蚀技术,用于制备薄层楔形结构;7).制备微空气隙的长波长光电探测器。此方向发表知名论文二十余篇。

团队介绍Research Group

课题组