高尚

个人信息Personal Information

教授

博士生导师

硕士生导师

性别:男

毕业院校:大连理工大学

学位:博士

所在单位:机械工程学院

学科:机械制造及其自动化

办公地点:机械工程学院高性能制造研究所#5015室

联系方式:手机:15104088992

电子邮箱:gaoshang@dlut.edu.cn

扫描关注

论文成果

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

磨削速度和压力对单晶硅去除特性的影响

点击次数:

论文类型:期刊论文

发表时间:2016-06-29

发表刊物:金刚石与磨料磨具工程

收录刊物:Scopus、ISTIC

卷号:36

期号:3

页面范围:1-5,10

ISSN号:1006-852X

关键字:单晶硅;磨削速度;法向压力;粗糙度;去除率;亚表面损伤

摘要:为研究单晶硅磨削损伤,使用金刚石磨块在不同磨削速度和压力下对单晶硅表面进行高速划擦试验,金刚石的粒度尺寸为38~45 μm.通过测量硅片表面粗糙度、亚表面损伤深度和材料去除率,研究磨块的磨削速度和压力对材料去除特性的影响规律.结果表明:相同压力时,材料去除率随磨削速度增加呈先增大后减小的趋势,亚表面损伤深度逐渐变小;随法向压力增大,亚表面损伤深度变化不明显;在5N压力下,表面粗糙度值Ra变化明显,由6.4 μm减小到3.2μm;而10 N压力下,Ra无明显变化.