Indexed by:Journal Papers
Date of Publication:2020-01-01
Journal:半导体光电
Volume:41
Issue:2
Page Number:169-172
ISSN No.:1001-5868
Key Words:时间延时积分;CMOS;光晕;横向抗晕栅;满阱容量
Abstract:时间延时积分CMOS图像传感器(TDI-CIS)具有优良的微光探测能力,可应用于航空探测及卫星遥感等领域.然而,在入射光强较强时,TDI-CIS容易出现光晕(Blooming)现象,影响观测效果.首先分析了光晕产生的机理;然后基于两种传统的抗晕结构,设计出一种具有沿垂直方向布局的长方形横向抗晕栅的TDI-CIS;通过成像实验发现横向抗晕栅极电压与抗晕效果及满阱容量(FWC)之间呈负相关关系;最后通过实验得到所设计TDI-CIS的最优抗晕栅极电压值为2.1V.
Professor
Supervisor of Doctorate Candidates
Supervisor of Master's Candidates
Gender:Male
Alma Mater:吉林大学
Degree:Doctoral Degree
School/Department:集成电路学院
Discipline:Circuits and Systems. Microelectronics and Solid State Electronics
Business Address:信息楼207
Contact Information:电话：13180826212
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