王德君

基本信息Personal Information

教授 博士生导师 硕士生导师

学术荣誉 : 教育部“新世纪优秀人才支持计划” 入选者

性别 : 男

毕业院校 : 清华大学

学位 : 博士

在职信息 : 在职

所在单位 : 电子信息与电气工程学部

学科 : 导航、制导与控制 微电子学与固体电子学 凝聚态物理

联系方式 : 0411-84709975

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个人简介Personal Profile

王德君,电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院教授,博士生导师。
吉林大学半导体化学专业本科、硕士,清华大学材料学博士,先后服务于北京大学、名古屋大学和奈良先端科学技术大学院大学,现大连理工大学教授,博士生导师(微电子、控制)。

研究方向:
1. 传感器与传感网;飞行器智能电子控制及安全;
2. 半导体SiC、GaN、石墨烯材料与器件科学 Semiconductor Materials and Devices
3. 功率芯片、传感器芯片设计制造及应用 Power Semiconductor Devices
4. 集成电路技术 Si3DP/GSI Technologies

课题组重视学术交流、国际化和对外合作,近五年,指导研究生在国际顶级学术期刊发表学术论文十余篇,培养的研究生多次获得博士生优秀论文单项奖学金和国家优秀学生奖学金,深受业界欢迎。

Prof. Dejun WANG received the B.S. and M.S. degree in semiconductors from Jilin University, Changchun, China; and the Ph.D. degree in materials science from Tsinghua University, Beijing, China. He has worked in Peking University, Nagoya University and Nara Institute of Science and Technology.
Prof. Wang joined Dalian University of Technology (DUT) in 2004 as a professor in the field of microelectronics. His research interests are power semiconductor materials and devices, Si3DP/GSI Technologies, real time & embedded systems, wireless sensor network (WSN). The recent work mainly includes the physics and technology of SiO2/SiC interfaces, metal-SiC contacts, and the development of GaN MOSFETs on AlGaN/GaN heterostructure.

Publications
[10] 刘冰冰 等. Passivation of SiC surface. Applied Physics Letters, 104: 202101 (2014)
[09] 江..滢 等. Field isolation for GaN MOSFETs. Semicond. Sci. & Tech., 29: 055002 (2014)
[08] 王青鹏 等. Characterization of GaN MOSFETs. IEEE Trans. on Electron Devices, 61: 498 (2014)
[07] 朱巧智 等. Electrical and physical properties of 4H-SiC MOS interface. Physica B, 432: 89 (2014)
[06] 李文波 等. Oxidation of step edges on SiC surfaces. Applied Physics Letters, 103: 211603 (2013)
[05] 朱巧智 等. Passivation of SiO2/SiC interface traps. Applied Physics Letters, 103: 062105 (2013)
[04] 黄玲琴 等. Barrier of metal/SiC contacts. Applied Physics Letters, 103: 033520 (2013)
[03] 李文波 等. Insight into the Oxidation and defects of SiC. Physical Review B, 87: 085320 (2013)
[02] 黄玲琴 等. SiC Ohmic contacts. Applied Physics Letters, 100: 263503 (2012)
[01] 朱巧智 等. SiO2/SiC interface transition region. Applied Physics Letters, 99: 082102 (2011)

译著:《半导体材料与器件表征技术》,大连理工大学出版社,2008年6月
原著:《Semiconductor Material and Device Characterization》by Dieter K. Schroder

  • 教育经历Education Background
  • 工作经历Work Experience
  • 研究方向Research Focus
  • 社会兼职Social Affiliations
  • 传感器与传感网;飞行器智能电子控制及安全;
  • 半导体SiC、GaN、石墨烯材料与器件科学 Semiconductor Materials and Devices
  • 功率芯片、传感器芯片设计制造及应用 Power Semiconductor Devices
  • 集成电路技术 Si3DP/GSI Technologies