王德君

个人信息Personal Information

教授

博士生导师

硕士生导师

性别:男

毕业院校:清华大学

学位:博士

所在单位:控制科学与工程学院

学科:微电子学与固体电子学. 电路与系统. 凝聚态物理. 控制理论与控制工程

联系方式:0411-84709975

电子邮箱:dwang121@dlut.edu.cn

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个人简介Personal Profile

王德君,电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院教授,博士生导师。

吉林大学半导体专业本科、硕士,清华大学材料学博士,先后服务于北京大学、名古屋大学和奈良先端科学技术大学院大学,现大连理工大学教授,博士生导师(微电子、控制、凝聚态物理)。


研究方向:

1. 三代半导体SiC电子器件制造测试技术及装备;

2. AI芯片、集成电路技术;

3. SiC半导体缺陷物理学;

4. 智能电子控制及安全

课题组重视学术交流、国际化和对外合作,近年指导研究生解决核心关键技术及理论问题多项,在国际顶级学术期刊发表学术论文数十篇,培养的研究生多次获得博士生优秀论文单项奖学金和国家优秀学生奖学金,深受业界欢迎。

招收推免生 生源范围:材料/物理/化学/电子信息类,等。


Publications

[17] 杨...超 等. (Topical Review) BTI in SiC MOS devices. J. Phys.D: Appl. Phys., 54: 123002 (2021)

[16] 尹志鹏 等. Reoxidation, defects and stability. Applied Surface Science, 531: 147312 (2020)

[15] 张方龙 等. Carrier capture and emission properties. Applied Surface Science, 514: 145889 (2020)

[14] 杨...超 等. Synergistic effects of nitrogen and oxygen. Applied Surface Science, 513: 145837 (2020)

[13] 杨...超 等. Bias temperature instability. Applied Surface Science, 488: 293-302 (2019)

[12] 王俊强 等. Cu-Sn bonding in 3D integration.  Applied Surface Science, 403: 525 (2017)

[11] 黄海云 等. A Monolithic CMOS Magnetic Hall Sensor.Sensors, 15: 27359 (2015)

[10] 刘冰冰 等. SiC surface pretreatment combined with POA. Applied Surface Science, 364: 769 (2016)

[09] 刘冰冰 等. Passivation of SiC surface. Applied Physics Letters, 104: 202101 (2014)

[08] 江...滢 等. Devices isolation technology for GaN MOSFETs. Applied Surface Science, 351: 1155 (2015)

[07] 王青鹏 等. Characterization of GaN MOSFETs. IEEE Trans. on Electron Devices, 61: 498 (2014)

[06] 李文波 等. Oxidation of step edges on SiC surfaces. Applied Physics Letters, 103: 211603 (2013)

[05] 朱巧智 等. Passivation of SiO2/SiC interface traps. Applied Physics Letters, 103: 062105 (2013)

[04] 黄玲琴 等. Barrier of metal/SiC contacts. Applied Physics Letters, 103: 033520 (2013)

[03] 李文波 等. Insight into the Oxidation and defects of SiC. Physical Review B, 87: 085320 (2013)

[02] 黄玲琴 等. SiC Ohmic contacts. Applied Physics Letters, 100: 263503 (2012)

[01] 朱巧智 等. SiO2/SiC interface transition region. Applied Physics Letters, 99: 082102 (2011)


译著:《半导体材料与器件表征技术》,大连理工大学出版社,2008年6月
原著:《Semiconductor Material and Device Characterization》by Dieter K. Schroder

  • 教育经历Education Background
  • 工作经历Work Experience
  • 研究方向Research Focus
  • 社会兼职Social Affiliations
  • 三代半导体SiC器件测试制造技术及装备

  • AI芯片、集成电路技术

  • 半导体缺陷物理学

  • 智能电子控制及安全