贾婧媛，大连理工大学光电工程与仪器科学学院副教授。2019年2月获得成均馆大学（韩国）工学博士学位，成均馆大学QS世界排名100，泰晤士报排名82. 目前主要研究方向包括多种二维材料的合成、制备、表征以及二维材料在光电方面应用的研究等。目前已发表SCI论文5篇（影响因子(IF)之和>30，包括学科顶级期刊ACS Nano、Chemistry of Materials、Small、Applied Physics Letters、Applied Surface Science等 。

SCI论文：

1. Jingyuan Jia, Sumin Jeon,Jaeho Jeon,Jiao Xu,Young Jae Son,Jeong Ho Cho,Byoung Hun Lee,Jin Dong Song,Hyung‐Jun Kim,Euyheon Hwang,Sungjoo Lee.Generalized Scheme for High Performing Photodetectors with ap‐Type 2D Channel Layer and n‐Type Nanoparticles. Small 14.9 (2018): 1703065. （IF=9.598, 一区）

2. Jingyuan Jia, Jiao Xu, Jin-Hong Park, Byoung Hun Lee, Euyheon Hwang,Sungjoo Lee. Multifunctional Homogeneous Lateral Black Phosphorus Junction Devices. Chemistry of Materials 29.7 (2017): 3143-3151. (IF=9.890, 一区)

3. Jingyuan Jia, Sung Kyu Jang, Shen Lai, Jiao Xu, Young Jin Choi, Jin-Hong Park, and Sungjoo Lee. Plasma-treated thickness-controlled two-dimensional black phosphorus and its electronic transport properties. ACS nano 9.9 (2015): 8729-8736. (IF=13.709, 一区)

4. Sumin Jeon,Minwoo Kim,Jingyuan Jia,Jin-Hong Park,Sungjoo Lee,Young Jae Song. Controlled p-doping of black phosphorus by integration of MoS2 nanoparticles. Applied Surface Science, 440, 282-287. (2018) (二区)

5. Jiao Xu,Jingyuan Jia,Shen Lai,Jaehyuk Ju,Sungjoo Lee. Tunneling field effect transistor integrated with black phosphorus-MoS2 junction and ion gel dielectric. Applied Physics Letters, 110(3), 033103. (2017) (一区)

专利：

韩国专利 “Surface treatment method of 2-dimensional thin layer and method of manufacturing an electric element” Patent number: 10-1884977

2013.9 -- 2019.2
韩国成均馆大学       纳米科学与技术       博士

2009.9 -- 2013.6
大连理工大学       电子科学与技术       学士

2008.9 -- 2009.6
冀州中学       无

2005.9 -- 2008.6
临城中学       无

2019.3 -- 至今

大连理工大学光电工程与仪器科学学院      讲师