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Surface-Induced Carrier Localization and Recombination Characteristics in InGaN/GaN Quantum Dots in Nanopillars

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发表时间：2022-10-09

发表刊物：the jounral of physical chemistry C

所属单位：光电工程与仪器科学学院

期号：123

页面范围：5699-5704

上一条：Vacancy cluster in ZnO films grown by pulsed laser deposition