点击次数：

论文类型：期刊论文

发表时间：2007-06-15

发表刊物：压电与声光

收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

卷号：29

期号：3

页面范围：331-334

ISSN号：1004-2474

关键字：压电双晶片;PZT薄膜;水热合成法

摘要：用水热合成法在金属基板上制备了压电双晶片,该法简单,成本低.为了更好地研究双晶片的特性,利用扫描电镜(SEM)和X-射线衍射(XRD)技术,对PZT薄膜的特性进行了较为详细的研究.发现PZT 薄膜由平均尺寸约为 5 μm的PZT晶粒组成,其物相组成成分PbTiO3和PbZrO3的比值约为53/47,处在准同型相界附近.根据试验中测得数据,计算出了薄膜的平均密度;并建立了双晶片位移驱动模型,由该模型得到压电系数d31,并研究了双晶片的铁电性.