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Indexed by:会议论文
Date of Publication:2013-08-15
Page Number:241-241
Key Words:深度分布;分子动力学;偏滤器;托卡马克;表面气泡;氢同位素;二体碰撞;高热导率;钨合金;滞留率;
Abstract:引言核反应装置中钨和钨合金凭借其高熔点、高热导率、低氚滞留率,被认为是目前最有前途的面对等离子体壁的候选材料。高束流氢同位素的轰击,导致钨材料表面以及体内产生大量的缺陷和损伤,带来氢同位素滞留和钨表面气泡问题。因此,研究氢杂质在钨中的行为特性是托克马克等离子体与壁材料相互作用的一个热点问题,具有非常重要的意义。下一代托卡马克像ITER将采用偏滤器等离子体部分脱靶的方式运行,偏滤器附近的等离子体和中性成分的能量只有几电子伏特。基于二体碰撞理论的
