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Indexed by:会议论文

Date of Publication:2013-08-15

Page Number:243-243

Key Words:脉冲源;PIC;氢分子;负氢离子;托卡马克装置;高振;射频源;表面充电;辅助加热;材料改性;

Abstract:引言负氢离子源因具有高中性化效率,低表面充电等特性,在磁约束核聚变、高能物理、半导体刻蚀、材料改性和纳米材料制备等领域获得了重要应用。在核聚变方面,基于负氢离子源的中性束注入是下一代托卡马克装置,如国际热核聚变实验堆(ITER)必不可少的辅助加热手段。要产生大量的负氢离子,必需先制备高浓度的高振动态氢分子H_2(v)(v≥5)。高振动态氢分子主要来源于高能电子和基态氢分子的EV反应。为提高高振动态氢分子的产生率,孙继忠等人[1]首次提出了在射频源维持放电的基础上,叠加一个脉冲源调节电子能量的思想。本工作,不仅对这种振荡产生的物理机制做出详细解释,更进一步探究极板覆盖介质层对放电的影响。