大气压等离子体辅助多晶硅薄膜化学气相沉积参数诊断
Release Time:2019-03-11 Hits:
Indexed by: Journal Article
Date of Publication: 2010-04-01
Journal: 物理学报
Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU、SCIE
Volume: 59
Issue: 4
Page Number: 2653-2660
ISSN: 1000-3290
Key Words: 大气压等离子体射流;发射光谱;电子激发温度;多晶硅薄膜沉积
Abstract: 本文采用发射光谱法诊断了大气压下Ar气、SiCl_4及H_2气混合气体(Ar/SiCl_4/H_2)射频放电等离子体射流特性.利用Si原子谱线强度计算了电子激发温度并以此估算了Si原子数密度,研究了射频功率及气体流量对电子激发温度和Si原子数密度以及SiCl_4解离率的作用.