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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别:男
毕业院校:大连理工大学
学位:博士
所在单位:材料科学与工程学院
电子邮箱:mklei@dlut.edu.cn
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等离子体基低能离子注入原理与实践
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论文类型:会议论文
发表时间:2006-08-01
页面范围:1
关键字:等离子体基低能离子注入;低温化;低能化;耐磨;抗蚀
摘要:等离子体基低能离子注入技术(Plasma-based Low-energy Ion Implantation)是一种新的低温低压表面工程技术。一方面利用低能离子束注入技术(Low-energy Ion Beam Implantation)的“低能”优势,另一方面结合等离子体基离子注入技术(Plasma-based Ion Implantation)的“全方位”优势,采用高密度、高电子温度和高离化率的等离子体,结合施加脉冲负偏压和辅助外热源,通过0.4-3 keV 的低能脉冲离子注入结合同步扩散,实现在200℃超低工艺温度下高传质效率的表面处理。目前, 这项技术已发展出等离子体基低能氮、碳、硼离子注入(即等离子体源离子渗氮/碳/硼)和等离子体源低能离子增强沉积薄膜二类工艺。以等离子体源离子渗氮为例,在脉冲等离子体作用下,将常规渗氮的处理温度降低了100-200℃,但渗氮效率基本保持不变;将常规离子注入的离子能量降至3 keV以下,与等离子体渗氮阴极电位相当。该技术的低温、高效、宽适用性和低成本等优点,尤其适用于特别易变形零部件或表面粗糙度精度要求高又不易抛光零部件提高耐磨抗蚀性能的需求。