Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2004-07-23

Journal: 半导体技术

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU

Volume: 29

Issue: 7

Page Number: 30-34

ISSN: 1003-353X

Key Words: 铜布线;化学机械抛光;碟形;侵蚀;超大规模集成电路

Abstract: 铜的化学机械抛光(Cu-CMP)技术是ULSI多层金属布线结构制备中不可缺少的平坦化工艺.Cu-CMP后硅片表面的蝶形、侵蚀等平坦性缺陷将降低铜线的最终厚度和增大电阻率,从而降低器件性能和可靠性.而且可能进一步影响硅片的面内非均匀性(WIWUN),在多层布线中导致图案转移的不准确.本文介绍了对Cu-CMP平坦性的仿真、模拟和实验研究,并着重分析了碟形、侵蚀和WlWUN与抛光液、线宽和图案密度、抛光速度和载荷等相关参数的关系.