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CMP加工中的真空吸盘区域压力控制技术

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Date of Publication:2004-07-15

Journal:电子工业专用设备

Volume:33

Issue:7

Page Number:34-39

ISSN No.:1004-4507

Key Words:集成电路;化学机械抛光;真空吸盘;区域压力控制

Abstract:目前半导体制造技术已经进入0.13μm时代,化学机械抛光(CMP)已经成为IC制造中不可缺少的技术.根据下一代IC对大尺寸硅片(≥300 mm)面型精度和表面完整性的要求,分析了CMP(化学机械抛光)加工中大尺寸硅片夹持的关键之一-区域压力控制技术(Zone Back PressureControl),介绍了采用区域压力控制技术的必要性和理论基础,以及国内外研究现状和最新进展,并指出了该技术存在的问题与发展趋势.

Pre One:铜化学机械抛光中的平坦性问题研究

Next One:半导体制造中超精密加工技术的未来发展