Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2004-06-23

Journal: 半导体技术

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU

Volume: 29

Issue: 6

Page Number: 24-29,37

ISSN: 1003-353X

Key Words: 硅片;化学机械抛光;平坦化;终点检测

Abstract: 化学机械抛光是硅片全局平坦化的核心技术,然而在实用阶段上,这项技术还受限于一些制造系统整合上的问题,其中有效的终点检测系统是影响抛光成效的重要关键.若未能有效地监测抛光运作,便无法避免硅片产生抛光过度或不足的缺陷.本文在介绍CMP机制与应用的基础上,系统分析了CMP终点检测技术的研究现状及存在的问题.