Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2007-03-15

Journal: 润滑与密封

Included Journals: ISTIC、PKU

Volume: 32

Issue: 3

Page Number: 70-72,109

ISSN: 0254-0150

Key Words: CMP;分散剂;铜;去除率;粗糙度

Abstract: 使用5种分散剂,SiO2水溶胶为磨料、H2O2为氧化剂,分别进行抛光实验.结果表明:二乙烯三胺和吡啶2种分散剂相对较好,二乙烯三胺(质量分数0.05%)对铜的材料去除率达到570.20 nm/min,表面粗糙度为Ra 1.076 0 nm,吡啶(质量分数0.75%)的材料去除率为373.69 nm/min,表面粗糙度为Ra 1.577 6 nm;二乙烯三胺提高了抛光液的碱性并增强了对铜金属的腐蚀作用是材料去除率提高的主要原因,其多胺基的极性吸附和与胶体分子羟基的化学键作用提高了抛光液磨粒胶体表面的zeta电位,较大的分子链有效地提高了磨料粒子间的空间排斥力,故较好的纳米磨料粒子分散性使抛光表面粗糙度降低.