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Indexed by: Conference Paper

Date of Publication: 2013-08-15

Page Number: 234-234

Key Words: 会切;放电过程;感应耦合;磁约束;电子密度;电子温度;加工工艺;上底;离子密度;注入系统;

Abstract: 感应耦合等离子体源(Inductively CoupledPlasmas,ICP)可在低气压(1-50 mTorr)下产生高密度的等离子体(>10~(11)cm~(-3)),已被广泛应用于芯片加工工艺当中。此外,在磁约束核聚变中,ICP源也被选择作为中性束注入系统的离子源。我们所模拟的ICP源的放电腔室是一个柱状结构。圆柱内充满氢气。圆柱的上底