Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Conference Paper

Date of Publication: 2011-08-08

Page Number: 67-67

Key Words: PECVD;中性气体;放电过程;薄膜沉积;非晶硅;半导体工业;均匀性;损害作用;等离子体密度;气体压强;

Abstract: 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺是半导体工业中重要技术之一,可在比CVD上艺低的多的温度下实现薄膜沉积(CVD工艺通常要7,8百摄氏度)。温度太高(如500摄氏度以上)往往会对芯片或其他材料产生损害作用,因此,PECVD工艺在半导体工业中有不可替代的作用,常用来沉积非晶硅、氮化硅、氧化硅等薄膜。对于薄膜沉积过程而言,一个非常重要的参数是薄膜沉积的径向均匀性。