三频容性耦合等离子体反应器的数值模拟
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Indexed by: Conference Paper
Date of Publication: 2009-07-20
Page Number: 1
Key Words: 容性耦合;射频频率;驱动电源;半导体工业;薄膜沉积;高频电源;均匀性;数值模拟;流体动力学模型;半导体加工;
Abstract: 容性耦合等离子体(CCP)反应器是半导体工业中重要的设备之一,在薄膜沉积、硅片刻蚀等工艺中有重要的应用。随着半导体工业的发展,人们迫切需要能够高效的进行大面积硅片沉积和刻蚀的新一代设备。一个发展方向就是增加驱动电源的频率。电源采用高于射频频率13.56MHz的频率,不仅可以使得放电产生的等离子体密度更高,从