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Indexed by:会议论文

Date of Publication:2017-07-01

Page Number:1

Key Words:容性耦合等离子体;二次电子;混合模拟

Abstract:容性耦合等离子体源(CCP)在半导体工业生产过程中有着广泛的应用。在CCP放电中,离子受到鞘层的加速作用轰击到电极表面上,使其发射出二次电子。在高气压、高电压、低频率的放电条件下,二次电子对等离子体特性有显著的影响,甚至主导放电过程。然而在基于CCP放电的模拟研究中,对二次电子发射效应的研究工作十分有限,二次电子对等离子体特性的影响及其原理仍有待进一步探索。因此,本文采用一维流体力学加电子蒙特卡洛混合模拟的方法,系统考察了在不同的放电条件下,二次电子对放电参数的影响,及其在放电中的作用。研究结果表明,二次电子对电离过程的增强作用受到气压、电压、极板间距等因素的影响。在二次电子的作用下,随着气压的增加,等离子体密度增大;随着电压的增加,等离子体密度先增大后减小;随着极板间距的增加,等离子体密度先降低后增大。