location: Current position: Home >> Scientific Research >> Paper Publications

射频等离子体刻蚀SiO2的数值研究

Hits:

Indexed by:会议论文

Date of Publication:2011-08-08

Page Number:163-163

Pre One:iPM:一个用于低温等离子体研究的两维隐式PIC/MC模拟程序

Next One:低气压射频及甚高频容性耦和等离子体源的发展趋势及相关物理问题