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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:2004-08-01
Journal:物理学报
Included Journals:SCIE、PKU、ISTIC、CSCD
Volume:53
Issue:8
Page Number:2666-2669
ISSN No.:1000-3290
Key Words:等离子体浸没离子注入;脉冲鞘层;绝缘介质;充电效应
Abstract:针对等离子体浸没离子注入技术在绝缘体表面制备硅薄膜工艺,采用一维脉冲鞘层模型描述介质靶表面的充电效应对鞘层厚度、注入剂量及靶表面电位等物理量的影响.数值模拟结果表明:随着等离子体密度的增高,表面的充电效应将导致鞘层厚度变薄、表面电位下降以及注入剂量增加,而介质的厚度对鞘层特性的影响则相对较小.
