Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2008-12-15

Journal: 半导体光电

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU、EI、Scopus

Volume: 29

Issue: 6

Page Number: 884-887,892

ISSN: 1001-5868

Key Words: 声表面波滤波器;金刚石;ZnO薄膜;磁控溅射

Abstract: 采用磁控溅射在自持CVD金刚石厚膜的成核面上制备了ZnO薄膜,并实验研究了其生长特性和发光特性随温度的变化情况.利用X射线衍射(XRD)仪,光致发光(PL)谱,电子探针(EPMA)和霍尔测量系统对样品进行了检测.SEM结果表明,基片温度为600℃时ZnO薄膜表面粗糙度最低.而PL谱表明基片温度为750℃时ZnO薄膜具有最优的光学性能,此时由EPMA测得的薄膜中Zn/O成分比接近ZnO的化学计量比.霍尔测量表明,样品均呈现出高阻状态,满足声表面波滤波器的制备条件.