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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：复旦大学
学位：博士
所在单位：物理学院
学科：凝聚态物理
办公地点：大连理工大学三束材料改性重点实验室1号楼203房间
联系方式：qyzhang@dlut.edu.cn 0411-84707930 转 13
电子邮箱：qyzhang@dlut.edu.cn
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磁控溅射ZnO薄膜的退火热力学行为研究
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论文类型：期刊论文
发表时间：2007-12-15
发表刊物：电子显微学报
收录刊物：ISTIC、CSCD
卷号：26
期号：6
页面范围：541-547
ISSN号：1000-6281
关键字：ZnO薄膜;退火行为;界面;扩散机制
摘要：本文利用原子力显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射等分析手段研究了反应射频磁控溅射截然不同的阶段,其临界转变温度在790 ℃附近.进一步分析表明,决定低温退火的晶粒长大机制为Zn填隙原子扩散机制,而决定高温退火时的晶粒长大机制为O空位扩散机制.界面分析结果显示:在临界转变温度以下,ZnO薄膜与基体Si之间基本不发生界面反应;在高温退火过程中,ZnO薄膜与基体Si之间的界面反应主要以氧化后的Si表面层向ZnO扩散的方式进行,并导致了薄膜应力的迅速增加,而界面反应开始之前的薄膜应力的变化,则是由于晶粒合并所引起的.